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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
52
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2176
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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