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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
62
Por volta de -94% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
2,378.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2271
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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