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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
62
周辺 -94% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
2,378.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
32
読み出し速度、GB/s
4,670.6
9.8
書き込み速度、GB/秒
2,378.6
8.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
861
2271
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