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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
62
En -94% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,378.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2271
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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