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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
54
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
37
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1990
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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