RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
54
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
37
54
Velocità di lettura, GB/s
13.2
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1990
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link