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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2281
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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