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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2808
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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