RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
28
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2930
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link