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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3009
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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