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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3297
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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