RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3453
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link