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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3047
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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