RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3526
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link