RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2971
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link