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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2677
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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