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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3226
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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