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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de 57% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
65
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1836
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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