RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3753
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link