RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
16.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
4084
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link