RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
4024
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link