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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
28
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3431
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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