RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
19.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
4394
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link