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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
21.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
19.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
4044
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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