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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3257
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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