RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2382
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link