RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2350
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link