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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
70
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
70
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
9.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1363
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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