RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2616
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link