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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
8500
Por volta de 2.75 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
23400
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3329
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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