RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
53
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
53
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2108
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link