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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2462
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
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