RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2324
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link