RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2519
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link