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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2929
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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