RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2434
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link