RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3424
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link