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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre DDR4-8GB 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2311
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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