RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2664
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link