RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2841
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link