Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 34
    Por volta de 18% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 8500
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    28 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.7 left arrow 14.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1988 left arrow 2201
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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