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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2014
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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