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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2928
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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