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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3034
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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