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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2958
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
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