RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3122
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link