Comparação RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

18 28

Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.4 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

17.2 7.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 8500

Por volta de 2.26 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1988 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns