RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2388
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link