RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de 35% menor latência
Razões a considerar
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
43
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2058
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link