RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3054
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link